參數(shù)資料
型號(hào): 2SK1170
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/9頁(yè)
文件大小: 49K
代理商: 2SK1170
2SK1169, 2SK1170
4
Power vs. Temperature Derating
150
100
50
0
C
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
Maximum Safe Operation Area
100
30
10
3
0.1
1
3
10
30
100
300
1,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
1.0
0.3
2SK1170
2SK1169
Operation in this area
is limited by R
DS (on)
1ms
10
μ
s
100
μ
Ta = 25
°
C
DCOpeaion(T
C
=25
°
C
Typical Output Characteristics
50
30
20
10
0
10
20
30
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
6 V
40
40
V
GS
= 4 V
Pulse Test
5 V
10 V
7 V
Typical Transfer Characteristics
20
16
8
4
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
12
T
C
= 25°C
75°C
–25°C
V
= 20 V
Pulse Test
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SK1171-01 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247
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2SK1172-01 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-247