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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1163 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 11 A, 450 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2SK1163 |
2SK1163, 2SK1164
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SK1163
V
DSS
450
V
2SK1164
500
Gate to source voltage
V
GSS
±30
V
Drain current
I
D
11
A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
40
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
11
A
Channel dissipation
Pch*
2
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1%
2. Value at T
C =
25
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1164-E | 11 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1163-E | 11 A, 450 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1165 | 0.55 ohm, POWER, FET |
| 2SK1166 | 0.6 ohm, POWER, FET |
| 2SK1167-E | 15 A, 450 V, 0.36 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1164 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1165 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1165(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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