參數(shù)資料
型號: 2SK1161
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述: 硅N溝道場效應晶體管(不適用溝道MOSFET的)
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 30K
代理商: 2SK1161
2SK1161, 2SK1162
4
120
80
40
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
C
Power vs. Temperature Derating
100
0.1
10
100
1,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
30
3
1.0
1
3
30
300
Ta = 25°C
10
μ
s
100
μ
s
1ms
DCOpeaion(T
C
=25C
2SK1162
i imtdb R
DS(n
2SK1161
0.3
10
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
D = 1
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot Puse
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 1.25°C/W, T
C
= 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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