參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ660-TL
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 26 A, 60 V, 0.094 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SMP-FD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SJ660-TL
2SJ660
No.8585-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
2200
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
220
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
165
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
18
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
150
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
180
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
130
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--26A
45
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--26A
7.4
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--26A
9
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--26A, VGS=0V
--0.98
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm
7513-002
7001-003
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
10.2
8.8
11.0
2.7
11.5
(9.4)
20.9
1.6
0.2
1.3
4.5
0.8
0.4
12
3
2.55
1.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --13A
RL=2.3
VDD= --30V
VOUT
2SJ660
VIN
0V
--10V
VIN
50
0V
--10V
≥50
RG
DUT
VDD
L
10.2
8.8
1.5MAX
2.7
9.9
3.0
0.2
1.3
4.5
0.8
1.35
0.4
1.4
1.2
2.55
0 to 0.3
12
3
2.55
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP-FD
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