- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄41532 > 2SJ551S-E 18 A, 60 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ551S-E |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 18 A, 60 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | LDPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/12頁(yè) |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | 2SJ551S-E |
2SJ551(L),2SJ551(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
–60
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
–18
A
Drain peak current
I
D(pulse)
Note1
–72
A
Body-drain diode reverse drain current
I
DR
–18
A
Avalanche current
I
AP
Note3
–18
A
Avalanche energy
E
AR
Note3
27
mJ
Channel dissipation
Pch
Note2
60
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. PW
≤ 10s, duty cycle ≤ 1 %
2. Value at Tc = 25
°C
3. Value at Tch = 25
°C, Rg ≥ 50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ551S | 18 A, 60 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ551STL-E | 18 A, 60 V, 0.11 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ552(S) | 20 A, 60 V, 0.095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ552L | 20 A, 60 V, 0.095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ552S | 20 A, 60 V, 0.095 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ551STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ552 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ552(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262AA |
| 2SJ552(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB |
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