參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ506L-E
元件分類： JFETs
英文描述： 10 A, 30 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大小： 102K
代理商： 2SJ506L-E
2SJ506(L), 2SJ506(S)
Rev.5.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7
–20
0
–4
–8
–12
–16
0
Source to Drain Voltage
VSD
(V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Pulse Test
–10 V
–5 V
VGS = 0, 5 V
tr
td(on)
Vin
90%
10%
Vout
td(off)
90%
10%
tf
Switching Time Test Circuit
Waveform
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γs
(t)
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot
pulse
PDM
PW
T
D =
PW
T
θch – c (t) = γ s (t) θch – c
θch – c = 6.25°C/W, Tc = 25°C
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
–10 V
RL
Vout
Monitor
50
VDD
= –10 V
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