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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ384S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SJ384S |
2SJ384(L), 2SJ384(S)
5
–20
–16
–12
–8
–4
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
–2
–4
–6
–8
–10
Tc = –25 °C
25 °C
75 °C
V = –10 V
Pulse Test
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
–2
–4
–6
–8
–10
Pulse Test
I = –10 A
–5 A
–2 A
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1
0.2
0.5
0.1
0.01
0.02
0.05
–0.5
–1
–2
–5
–10 –20
–50
–10 V
–4 V
Pulse Test
V = –2.5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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