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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ384S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SJ384S |
2SJ384(L), 2SJ384(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
I
AP
*
E
AR
*
Pch*
–60
V
Gate to source voltage
±20
V
Drain current
–15
A
Drain peak current
1
–60
A
Body to drain diode reverse drain current
–15
A
Avalanche current
3
–15
A
Avalanche energy
3
19
mJ
Channel dissipation
2
50
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10 μs, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25°C
3. Value at Tch = 25°C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ386 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ387 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ387L | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ387S | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ388 | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ386 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ386TZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ387 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ387L | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
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