參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ351
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SJ351
2SJ351, 2SJ352
Silicon P-Channel MOS FET
ADE-208-1193 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SK2220, 2SK2221
Features
High power gain
Excellent frequency response
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Ordering Information
Type No.
V
DSX
2SJ351
–180 V
2SJ352
–200 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ352
2SJ387(L)
2SJ387(S)
2SJ479(L)
2SJ479(S)
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參數(shù)描述
2SJ351(E) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SJ351-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
2SJ352 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube
2SJ352-E 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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