參數(shù)資料
型號: 2SJ479(L)
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代理商: 2SJ479(L)
2SJ479(L), 2SJ479(S)
Silicon P Channel DV–L MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-541 (Z)
1st. Edition
Sep. 1997
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 25 m typ.
4V gate drive devices.
High speed switching
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ479(S)
2SJ505(L)
2SJ505(S)
2SJ506(L)
2SJ506(S)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ479L-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) LDPAK(L) Box Bulk
2SJ479S 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
2SJ479STL-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
2SJ48 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
2SJ480 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-236AB