參數(shù)資料
型號(hào): 2SJ332S
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述: 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管性(P溝道MOSFET的)
文件頁(yè)數(shù): 2/9頁(yè)
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代理商: 2SJ332S
2SJ332(L), 2SJ332(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch*
–20
V
Gate to source voltage
±20
V
Drain current
–10
A
Drain peak current
1
–40
A
Body to drain diode reverse drain current
–10
A
Channel dissipation
2
20
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Notes 1. PW
10 μs, duty cycle
1%
2. Value at T
C
= 25°C
Tstg
–55 to +150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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