參數資料
型號: 2SJ332
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述: 硅P溝道場效應晶體管性(P溝道MOSFET的)
文件頁數: 7/9頁
文件大小: 55K
代理商: 2SJ332
2SJ332(L), 2SJ332(S)
7
10000
1000
100
10
0
–4
–8
–12
–16
–20
C
Drain to Source Voltage V (V)
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
–10
–20
–30
–40
0
–8
–16
–24
–32
–40
Gate Charge Qg (nc)
D
D
0
–4
–8
–12
–16
–20
–50
G
G
V = –5 V
–10 V
–20 V
V = –5 V
–10 V
–20 V
DS
V
GS
V
I = –10 A
Dynamic Input Characteristics
500
200
100
50
20
10
5
–0.1 –0.2
–0.5
Drain Current I (A)
–1
–2
–5
–10
S
tf
r
d(off)
t
d(on)
t
Switching Characteristics
V = –10 V, V = –10 V
PW = 2 μs, duty < 1 %
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PDF描述
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參數描述
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2SJ332(S) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252AA
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