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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ290 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | 2SJ290 |
2SJ290
7
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
C
10000
1000
100
10
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
0
–10
–20
–30
–40
–50
Drain to Source Voltage V (V)
Dynamic Input Characteristics
0
–20
–40
–60
–80
–100
D
Gate Charge Qg (nc)
G
D
G
0
–4
–8
–12
–16
–20
V = –10 V
–25 V
–50 V
I = –15 A
V = –10 V
–25 V
–50 V
0
20
40
60
80
100
Switching Characteristics
S
Drain Current I (A)
td
t
t
td
500
200
100
50
20
10
5
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10 –20
V = –10 V, V =
PW = 2 s, duty 1%
:
<
f
r
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–20
–16
–12
–8
–4
R
D
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Source to Drain Voltage V (V)
V = –10 V
Pulse Test
–5 V
0, 5 V
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PDF描述 |
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