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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ290 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | 2SJ290 |
2SJ290
6
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
S
R
)
D
Pulse Test
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
–40
I = –20 A
D
0
80
120
Case Temperature Tc (°C)
40
–5 A,–10 A
–20 A
–5 A,–10 A
–10 V
160
V = –4 V
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
F
|
Drain Current I (A)
Tc = 25°C
75°C
50
20
10
5
2
1
0.5
–25°C
Pulse Test
V = –10 V
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
R
Reverse Drain Current I (A)
di/dt = 50 A/ s
V = 0
Ta = 25°C
1000
500
200
100
50
20
10
–0.5
–1
–2
–5
–10 –20
–50
r
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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