參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ278
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： 2SJ278
2SJ278
5
5
10
500
200
100
50
20
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
–0.02 –0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
di/dt = 50 A/μs
V = 0, duty < 1 %
0
–10
–20
–30
-40
–50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1000
100
10
1
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
0
–20
–40
–60
–80
0
4
8
12
16
20
Gate Charge Qg (nc)
D
D
0
–4
–8
–12
–16
–20
–100
G
G
DS
V
I
D
= –1A
GS
V
Dynamic Input Characteristics
V = –10 V
–25 V
–40 V
V = –10 V
–25 V
–40 V
500
200
100
50
20
10
5
–0.01 –0.02
–0.05 –0.1
Drain Current I (A)
–0.2
–0.5
–1
S
Switching Characteristics
V = –10 V, V = –30 V
PW = 2 μs, duty < 1 %
tf
r
d(off)
t
d(on)
t
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