參數(shù)資料
型號： 2SJ278
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： 2SJ278
2SJ278
4
–1.0
–0.8
-0.6
-0.4
–0.2
0
–2
–4
–6
–8
–10
Gate to Source Voltage V (V)
V
D
Pulse Test
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
I = –1 A
–0.5 A
–0.2 A
D
Drain Current I (A)
D
R
D
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
–10 V
V = –4 V
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Pulse Test
–1 A
V = –4 V
–0.5 A
–0.2 A
–1 A
–10 V
–0.5 A
–0.2 A
Drain Current I (A)
F
f
75 °C
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
–0.01 –0.02
–0.05 –0.1
–0.2
–0.5
–1
Tc = –25 °C
25 °C
V = –10 V
Pulse Test
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