參數(shù)資料
型號： 2SJ218
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 29K
代理商： 2SJ218
2SJ218
4
120
80
40
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
Power vs. Temperature Derating
C
–1000
–100
–10
–1
–1
–10
–100
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–300
–30
–3
–0.1 –0.3
–3
–30
Ta = 25°C
10
μ
s
100
μ
1ms
DCOpeaion(T
C
=25C
Opeaioninthsaea
i mtedb R
DS(on
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
D = 1
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot Pulse
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 2.08°C/W, T
C
= 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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PDF描述
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2SJ220L SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING
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參數(shù)描述
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