參數(shù)資料
型號： 2SJ218
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 29K
代理商： 2SJ218
2SJ218
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch*
–60
V
Gate to source voltage
±20
V
Drain current
–45
A
Drain peak current
1
–180
A
Body to drain diode reverse drain current
–45
A
Channel dissipation
2
60
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10 μs, duty cycle
≤
1%
2. Value at T
C
= 25°C
Tstg
–55 to +150
°C
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PDF描述
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2SJ219 Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
2SJ219S Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
2SJ220 Box-shaped pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 543-0519-0 01; No. of Positions: 8; Connector Type: Board mounting; Contact Gender: Male; Contact Spacing (mm): 2; Terminal Pitch (mm): 2; Stack Height (mm): 7.55,7.80; PCB Mount Type: Through-hole; Current Rating(Amps)(Max.): 2; Contact Mating Area Plating: Gold; Operating Temperature Range (degrees C): -30 to 85; General Description: Header; Straight; Changed Finish
2SJ220L SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING
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參數(shù)描述
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