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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ215 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | 2SJ215 |
2SJ215
6
100
–5
–100
Drain Current I
D
(A)
20
2
–2
–10
–50
–1
10
5
1
–20
DS
= –10 V
V
F
y
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
–25°C
T
C
= 75°C
50
1,000
–5
–100
Reverse Drain Current I
DR
(A)
500
20
–2
–10
–50
–1
100
200
10
–20
R
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
di/dt = 50 A/
μ
s, V
GS
= 0
Ta = 25°C
Pulse Test
50
100
–20
–50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
20
–10
–30
–40
50
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
10
f = 1 MHz
V
GS
= 0
Crss
Coss
Ciss
1,000
200
500
0
80
200
Gate Charge Qg (nc)
D
D
Dynamic Input Characteristics
–20
–80
40
120
160
0
–60
–40
0
–4
–16
–20
–12
–8
G
G
–100
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
–50 V
–25 V
V
= –10 V
V
GS
V
DS
I
D
= –35 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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