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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD667 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SD667 |
2SD667, 2SD667A
3
Maximum Collector Dissipation Curve
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
C
0.8
1.2
0.4
0
50
100
150
Typical Output Characteristics
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
6
10
4
8
I
B
= 0
0.5mA
1
2
5
10
15
20
25
30
35
P
C
=09W
Typical Transfer Characteristics
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
= 5 V
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
0.2
0.6
1.0
0.4
0.8
T7
°
C
2
–
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
D
F
300
V
CE
= 5 V
Ta = 75
°
C
25
–25
250
200
150
100
50
0
1
10
100
1,000
3
30
300
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD667A | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD668 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
| 2SD668A | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
| 2SD669A | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD669 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD667A | 制造商:DCCOM 制造商全稱:Dc Components 功能描述:TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 2SD667AB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
| 2SD667ABTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD667AC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
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