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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD655 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SD655 |
2SD655
4
Collector to Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
C
V
C
(
3
10
30
100
300
1,000 3,000
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3.0
I
C
= 10 I
B
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
0.3
1.0
3
10
30
100
300
3
10
30
100
300
1,000
3,000
G
T
V
CE
= 1 V
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
C
o
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
1
2
5
10
20
50
1
2
5
20
50
10
f = 1 MHz
I
E
= 0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD666 | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SB646/A |
| 2SD666A | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SB646/A |
| 2SD667 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD667A | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD668 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD655D | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92 |
| 2SD655DTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD655E | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92 |
| 2SD655-E(TZ-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 3-Pin TO-92 T/R |
| 2SD655ETZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
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