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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD655 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | 2SD655 |
2SD655
3
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
600
400
200
Typical Output Characteristics
50
40
30
10
0
20
C
C
10
8
6
4
2
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
I
B
= 0
0.005 mA
0.01
0.02
0.03
0.04
0.015
0.025
0.035
Typical Transfer Characteristics
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
1
3
10
30
100
300
1,000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
CE
= 1 V
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
1
3
10
30
100
300
1,000
10
30
100
300
1,000
3,000
10,000
D
F
V
= 1 V
Pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD666 | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SB646/A |
| 2SD666A | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SB646/A |
| 2SD667 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD667A | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD668 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD655D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92 |
| 2SD655DTZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD655E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92 |
| 2SD655-E(TZ-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 3-Pin TO-92 T/R |
| 2SD655ETZ-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
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