參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2686
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, SC-62, 2-5K1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 171K
代理商： 2SD2686
2SD2686
2004-08-26
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
rth – tw
Pulse width tw (s)
Tr
ansie
nt
the
rm
al
re
sist
anc
e
r th
(
°C
/W
)
Curves apply only to limited areas of thermal resistance.
Single nonrepetitive pulse Ta
= 25°C
Mounted on an FR4 board (glass-epoxy; 1.6 mm thick; Cu
area, 645 mm
2)
1000
1
0.001
100
10
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
*: Single nonrepetitive pulse
Ta
= 25°C
Note that the curves for 100 ms*,
10 s* and DC operation will be
different when the devices aren’t
mounted on an FR4 board
(glass-epoxy; 1.6 mm thick; Cu area,
645 mm
2). These characteristic
curves must be derated linearly with
increase in temperature.
IC max (pulse) *
DC operation
(Ta
= 25°C)
V
CE
O
max
10 ms*
IC max (continuous)
10 s* 100 ms*
1 ms*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD2695(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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