參數(shù)資料
型號: 2SD2686
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 1 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, SC-62, 2-5K1A, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 171K
代理商: 2SD2686
2SD2686
2004-08-26
2
Electrical Characteristics (Ta
= 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
ICBO
VCB = 45 V, IE = 0
10
A
Collector cutoff current
ICEO
VCE = 45 V, IE = 0
10
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 8 V, IC = 0
0.80
4.0
mA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
60
70
V
DC current gain
hFE
VCE = 2 V, IC = 1.0 A
2000
VCE (sat) (1) IC = 0.5 A, IB = 1 mA
1.2
V
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat) (2) IC = 1.0 A, IB = 1 mA
1.5
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1.0 A, IB = 1 mA
2.0
V
Rise time
ton
0.4
Storage time
tstg
4.0
Switching time
Fall time
tf
See Figure 1 circuit diagram.
VCC 30 V, RL = 30
0.6
s
Figure 1.
Switching Time Test Circuit
& Timing Chart
Input
Output
30Ω
VCC≒30V
20μs
Duty cycle<1%
Marking
3
H
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2702TL 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2703TL 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2716 6 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2721 12 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD366 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2686(TE12L,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans. NPN 60V 1A hfe2000min.
2SD2695(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk
2SD2695(T6CANO,A,F 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2695(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2695(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1