型號: | 2SD2673 |
廠商: | Rohm CO.,LTD. |
英文描述: | Low frequency amplifier |
中文描述: | 低頻放大器 |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大小: | 69K |
代理商: | 2SD2673 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD2674 | General purpose amplification (12V, 1.5A) |
2SD2675 | General purpose amplification (30V, 1A) |
2SD2703 | General purpose amplification (30V, 1A) |
2SD2707 | General Purpose Transistor (50V, 0.15A) |
2SD2654 | General Purpose Transistor (50V, 0.15A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD2673TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2674TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2675TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2679T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2A / 30V BIPOLAR TRANSISTOR 3MPT3 - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN BIPO 30V 2A MPT3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTR 2A 30V |
2SD2686(TE12L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans. NPN 60V 1A hfe2000min. |