參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2639D
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 12 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： 2SD2639D
2SD2639
No.6960-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE
VCE=5V, IC=1A
1.5
V
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=5A, IB=0.5A
0.6
2.5
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=5mA, IE=0A
160
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=5mA, RBE=∞
140
V
IC=50mA, RBE=∞
140
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=5mA, IC=0A
6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
0.26
μs
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
0.68
μs
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
6.88
μs
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7507-001
10.2
5.1
4.5
1.3
15.1
14.0
2.7
6.3
3.6
18.0
(5.6)
2.7
1.2
0.8
0.4
2.55
12 3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VBE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
0
2
1
3
4
5
6
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
IT03155
IT03153
10
20
30
40
8
6
4
2
0
240mA 160mA
200mA
120mA
80mA
40mA
20mA
VCE=5V
RB
1Ω
VCC=20V
VBE=--2V
51Ω
Input
Output
++
PW=20μs
D.C.≤1%
RL
20Ω
1μF1μF
IB1
IB2
VR
200Ω
10IB1= --10IB2=IC=1A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SD2693AQ 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD287CS 10 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
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2SD2642 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO220F
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2SD2652T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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