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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2693AP |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-220D-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | 2SD2693AP |
Power Transistors
1
Publication date: September 2005
SJD00322BED
2SD2693, 2SD2693A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
Complementary to 2SB1724, 2SB1724A
■ Features
Wide safe oeration area
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
FE
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw.
■ Absolute Maximum Ratings T
C = 25°C
■ Electrical Characteristics T
C
= 25°C ± 3°C
1.4±0.2
1.6±0.2
0.8±0.1
0.55±0.15
2.54±0.30
5.08±0.50
12
3
2.6±0.1
2.9±0.2
4.6±0.2
φ 3.2±0.1
3.0
±
0.5
9.9±0.3
15.0
±
0.5
13.7
±
0.2
4.2
±
0.2
Solder
Dip
Unit: mm
1: Base
2: Collector
3: Emitter
TO-220D-A1 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
2SD2693
VCBO
60
V
(Emitter open)
2SD2693A
80
Collector-emitter voltage
2SD2693
VCEO
60
V
(Base open)
2SD2693A
80
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
6V
Collector current
IC
3A
Peak collector current *
ICP
5A
Collector power dissipation
PC
25
W
Ta
= 25°C
2.0
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage
2SD2693
VCEO
IC = 30 mA, IB = 060
V
(Base open) *
1
2SD2693A
80
Collector-base cutoff
2SD2693A
ICBO
VCB = 80 V, IE = 0
100
mA
current (Emitter open)
Collector-emitter cutoff
2SD2693
ICEO
VCE = 60 V, IB = 0
100
A
current (Base open)
2SD2693A
VCE = 80 V, IB = 0
Collector-emitter cutoff
2SD2693
ICES
VCE = 60 V, IB = 0
100
A
current (E-B short)
Emitter-base cutoff current (Collector open)
IEBO
VEB
= 6 V, I
C
= 01
mA
Forward current transfer ratio *
1
hFE1 *
2
VCE = 4 V, IC = 1 A
70
250
hFE2
VCE = 4 V, IC = 3 A
10
Collector-emitter saturation voltage *
1
VCE(sat)
IC
= 3 A, I
B
= 0.375 A
0.8
V
Transition frequency
fT
VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 10 MHz
30
MHz
Turn-on time
ton
IC = 1 A, Resistance loaded
0.1
s
Storage time
tstg
IB1
= 0.1 A, I
B2
= 0.1 A
2.3
s
Fall time
tf
VCC = 50 V
0.3
s
Rank
Q
P
hFE1
70 to 150
120 to 250
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Internal Connection
B
C
E
Note) *: Non-repetitive peak collector current
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2693P | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| 2SD287CS | 10 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
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| 2SD287B | 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SD2695(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SD2695(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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