參數(shù)資料
型號： 2SD2618
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor(功率晶體管)
中文描述： 功率晶體管（功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： 2SD2618
2SD2618
Transistors
Power Transistor (80V, 4A)
2SD2618
!
Features
1) Darlington connection for a high h
FE
.
2) Built-in resistor between base and emitter.
3) Built-in damper doide.
4) Complements the 2SB1676.
!
Circuit diagram
R 300
B
C
E
: Emitter
: Base
: Collector
B
E
C
R
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Limits
80
80
7
4
6
2
30
150
55~+150
Unit
V
V
V
A (DC)
A (t = 100ms)
W
W (Tc = 25
°
C)
°
C
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SD2618
TO-220FN
1k~10k
-
500
Basic ordering unit (pieces)
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
*
1 Measured using pulse current.
*
2 Transition frequency of the device.
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
80
80
-
-
-
1000
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
40
35
Max.
-
-
100
10
1.5
10000
-
-
Unit
V
V
μ
A
μ
A
V
-
MHz
pF
Conditions
f
T
Cob
*
1
*
1
*
2
I
C
= 50
μ
A
I
C
=
1mA
V
CB
= 80V
V
EB
= 5V
I
C
/I
B
= 2A/4mA
V
CE
/I
C
= 3V/2A
V
CE
= 5V , I
E
=
0.2A , f = 10MHz
V
CB
= 10V , I
E
= 0A , f = 1MHz
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PDF描述
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2SD2620J0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD262100L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSS MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2621G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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