參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2652
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： General purpose amplification (12V, 1.5A)
中文描述： 通用放大（12V的，1.5A的）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大小： 75K
代理商： 2SD2652
2SD2652
Transistors
General purpose amplification (12V, 1.5A)
2SD2652
!
Application
Low frequency amplifier
!
Features
1) A collector current is large.
2) Collector saturation voltage is low.
V
CE(sat)
≤
200mV
At I
C
= 500mA / I
B
= 25mA
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
JEDEC : SOT-323
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
1.25
2.1
0
0
0
0.1Min.
(
0
0
0
0
(
2
1
(
0
Abbreviated symbol : EW
Each lead has same dimensions
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
Tstg
Unit
V
V
V
A
A
mW
°
C
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, P
W
=
1ms
Limits
15
12
6
1.5
3
200
150
55~
+
150
!
Packaging specifications
2SD2652
T106
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
15
12
6
270
Typ. Max.
80
400
12
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
MHz V
CE
=
2V, I
E
=
200mA, f
=
100MHz
pF
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
Conditions
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
500mA/25mA
V
CE
/I
C
=
2V/200mA
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
100
100
200
680
1
1
1
Pulsed
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2SD2653KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2653TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLV 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2654TLW 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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