參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2607
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor(功率晶體管)
中文描述： 功率晶體管（功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： 2SD2607
2SD2607
Transistors
Power Transistor (100V, 8A)
2SD2607
!
Features
1) Darlington connection for high DC current gain.
2) Built-in resistor between base and emitter.
3) Built-in damper diode.
4) Complements the 2SB1668.
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
*
Single pulse, Pw = 10ms
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
100
100
7
8
10
2
30
*
150
55~+150
Unit
V
V
V
A (DC)
A (Pulse)
W
W (Tc = 25
°
C)
°
C
°
C
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
External dimensions
(Units: mm)
ROHM : TO-220FN
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
0.75
0.8
2.54
(3)
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(2)
5
8
1
1
1
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SD2607
TO-220FN
1k~20k
-
500
Basic ordering unit (pieces)
!
Circuit diagram
R1 5k
R2 300k
B
C
E
: Base
: Collector
: Emitter
B
E
C
R
1
R
2
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
100
100
-
-
-
1000
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
40
50
Max.
-
-
10
3
1.5
20000
-
-
Unit
V
V
μ
A
mA
V
-
MHz
pF
Conditions
*
1
*
1
*
2
I
C
= 50
μ
A
I
C
= 5mA
V
CB
= 100V
V
EB
= 5V
I
C
/I
B
= 3A/6mA
V
CE
/I
C
= 3V/2A
V
CE
= 5V , I
E
=
0.2A , f = 10MHz
V
CB
= 10V , I
E
= 0A , f = 1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
*
1 Measured using pulse current.
*
2 Transition frequency of the device.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SD261 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92
2SD262 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 300V 12A 125W BEC
2SD2620G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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