參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2461
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： 2-8M1A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： 2SD2461
2SD2461
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SD2461
Power Amplifier Applications
High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 5 V, IC = 0.1 A)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.3 V (typ.) (IC = 0.5 A, IB = 5 mA)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
60
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
2
Collector current
Pulse
ICP
4
A
Base current
IB
0.4
A
Collector power dissipation
PC
1.3
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-8M1A
Weight: 0.55 g (typ.)
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PDF描述
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