參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2300
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused
中文描述： 硅npn型三重?cái)U(kuò)散
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 32K
代理商： 2SD2300
2SB859
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
I
C
= –50 mA, R
BE
=
∞
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–80
—
—
V
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–5
—
—
V
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
h
FE1
*
h
FE2
V
BE
V
CE(sat)
—
—
–0.1
mA
V
CB
= –80 V, I
E
= 0
V
CE
= –5 V, I
C
= –1 A*
V
CE
= –5 V, I
C
= –0.1 A*
V
CE
= –5 V, I
C
= –1 A*
I
C
= –2 A, I
B
= –0.2 A*
DC current transfer ratio
1
60
—
200
2
35
—
—
2
Base to emitter voltage
—
—
–1.5
V
2
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
–2
V
2
Gain bandwidth product
f
T
Cob
—
20
—
MHz
V
CE
= –5 V, I
C
= –0.5 A*
V
CB
= –20 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
2
Collector output capacitance
Notes: 1. The 2SB859 is grouped by h
FE1
as follows.
2. Pulse test
—
75
—
pF
B
C
60 to 120
100 to 200
Maximum Collector Dissipation
Curve
60
40
20
0
50
100
150
C
C
Case temperature T
C
(
°
C)
Area of Safe Operation
IC max(Continuous)
–5
–2
–1.0
–0.5
C
C
–0.2
–0.1
–0.05
–1
–5
–20
–100
–2
–10
–50
(–80 V, –0.06 A)
(–33 V, –12 A)
(–10 V, –4 A)
DCOpeaion
T
C
= 25
°
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2300 Power Bipolar Transistors
2SB860 Silicon PNP Triple Diffused
2SB861 Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴(kuò)散PNP晶體管)
2SB865 PNP Epitaxial Planar Silicon Darlington Tranasistors for Drivers Applications(驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的PNP硅外延平面型達(dá)林頓晶體管)
2SD1153 NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Tranasistors for Drivers Applications(驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型達(dá)林頓晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2318TLU 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2318TLV 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD23210RA 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 5A NS-B1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2329 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD234 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 60V 3A 25W BCE
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