參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2300
廠(chǎng)商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Triple Diffused
中文描述: 硅npn型三重?cái)U(kuò)散
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 32K
代理商: 2SD2300
2SB859
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1135
Outline
TO-220AB
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
123
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
–100
V
Collector to emitter voltage
–80
V
Emitter to base voltage
–5
V
Collector current
–4
A
Collector peak current
–8
A
Collector power dissipation
1
40
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–45 to +150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
2SD2318TLU 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2318TLV 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD23210RA 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 5A NS-B1 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD2329 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD234 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 60V 3A 25W BCE