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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2281Q |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SD2281Q |
2SB1508 / 2SD2281
No.3714-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)6A, IB=(--)0.3A
(--0.5)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(0.2)0.1
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.4)1.2
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(0.1)0.5
s
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7505-002
16.0
5.6
3.1
2.0
12
3
2.8
2.0
5.45
22.0
20.4
1.0
0.6
4.0
21.0
5.0
8.0
3.5
3.4
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-3PML
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR09843
0--0.4
--0.2
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
IB=0mA
--20mA
--40mA
--60mA
--80mA
--1
A
ITR09844
0
0.4
0.2
0.8
0.6
1.2
1.0
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
IB=0mA
--600mA
--200mA
--100mA
2SB1508
1A
600mA
200mA
400mA
80mA
60mA
40mA
2SD2281
20mA
--800mA
--400mA
100mA
PW=20s
tr, tf≤15ns
INPUT
20V
50
RB
1
IB1
IB2
100F
470F
--5V
VR
+
RL
4
OUTPUT
10IB1= --10IB2=IC=5A
For PNP, the polarity is reversed.
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD2282Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
| 2SD2282R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
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