參數(shù)資料
型號： 2SD2256
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused
中文描述： 硅npn型三重擴散
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： 2SD2256
2SD2256
3
Maximum Collector Dissipation Curve
120
80
40
0
50
100
150
Case temperature T
C
(
°
C)
C
C
100
10
30
C
C
3
1.0
0.3
0.1
3
30
10
100
300
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Ta = 25
°
C
1 shot pulse
i
C(peak)
I
C(max)
PW=1 s
1m
Area of Safe Operation
D Oeao(
C
5
°
C
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
20
16
12
8
4
0
C
C
1
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
3
5
2
4
Typical Output Characteristics
40
1.0 mA
1.5
2.0
2.5
3.0
50
3.5
10,000
3,000
1,000
100
300
30
10
0.1
0.3
D
F
1.0
100
30
Collector current I
C
(A)
10
3
V
CE
= 4 V
T
C
=75
°
C
25
°
C
–25
°
C
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
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PDF描述
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2SD2298 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
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參數(shù)描述
2SD2257 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS)
2SD2257(CANO,A,Q) 功能描述:TRANS NPN 3A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.5mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 2A，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1
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2SD2257(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 100V VCE1.5 Ic 3A High-Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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