參數(shù)資料
型號： 2SD2256
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused
中文描述： 硅npn型三重擴散
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 36K
代理商： 2SD2256
2SD2256
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
1
Tj
120
V
Collector to emitter voltage
120
V
Emitter to base voltage
7
V
Collector current
25
A
Collector peak current
35
A
Collector power dissipation
120
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
C to E diode forward current
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C.
I
D
*
1
25
A
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
120
—
—
V
I
C
= 0.1 mA, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
120
—
—
V
I
C
= 25 mA, R
BE
=
∞
Collector to emitter sustain
voltage
V
CEO(sus)
120
—
—
V
I
C
= 200 mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
7
—
—
V
I
E
= 50 mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
—
—
10
μ
A
μ
A
V
CB
= 100 V, I
E
= 0
V
CE
= 100 V, R
BE
=
∞
V
CE
= 4 V, I
C
= 12 A*
1
V
CE
= 4 V, I
C
= 25 A*
1
I
C
= 12 A, I
B
= 24 mA*
1
I
C
= 25 A, I
B
= 250 mA*
1
I
C
= 12 A, I
B
= 24 mA*
1
I
C
= 25 A, I
B
= 250 mA*
1
—
—
10
DC current transfer ratio
2000
—
20000
500
—
Collector to emitter saturation
—
—
2.0
V
voltage
—
—
3.5
V
Base to emitter saturation
—
—
3.0
V
voltage
Note:
—
—
4.5
V
1. Pulse test.
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PDF描述
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