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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2121L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SD2121L |
2SD2121(L)/(S)
3
Ta = 25
°
C
I
B
= 0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
C
C
1
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
3
2
5
4
Typical Output Characteristics
2 mA
4
10
12
14
16
6
8
1,000
300
30
100
10
0.03
0.1
Collector current I
C
(A)
D
F
0.3
1.0
3.0
V
= 2 V
Ta = 25
°
C
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
1.0
0.3
0.1
C
C
0.03
0.01
0.03
0.3
0.1
Collector current I
C
(A)
1.0
3.0
I
= 10 I
B
Ta = 25
°
C
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
C
C
0.4
Base to emitter voltage V
BE
(V)
1.2
0.8
2.0
1.6
Typical Transfer Characteristics
V
CE
= 2 V
Ta = 25
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2121S | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2122 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2122L | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2122S | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2123 | Silicon NPN Epitaxial |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2121S | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2122 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD2122(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-251AA |
| 2SD2122(L)-(1)B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2SD2122(L)-(1)C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
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