- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369160 > 2SD2106 (Hitachi,Ltd.) Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2106 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
| 中文描述： | npn型硅外延（外延npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 2SD2106 |
2SD2106
3
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(
°
C)
C
10
30
20
Maximum Collector Dissipation Curve
0.03
0.1
0.3
1.0
3
30
10
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.3
1.0
3
10
30
100
300
Area of Safe Operation
1
μ
s
10
μ
s
P
1 s
1m
i
C
(peak)
I
C
(max)
DCOeao T
C
5
°
C
Ta = 25
°
C
1 shot pulse
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
1
2
3
4
5
2
4
6
8
10
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
1.0 mA
P
C
5W
1.5
5.0
2.0
4.0
3.5
3.0
100
200
500
1,000
2,000
5,000
10,000
Collector current I
C
(A)
D
F
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
10
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
V
= 3 V
Pulse
T
C
=75
°
C
–25
°
C
25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2107 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SD2108 | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 2SD2114KV | High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) |
| 2SD2114KW | High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A) |
| 2SD2141 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Darlington)(硅NPN三倍擴散平面達林頓晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2107 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| 2SD2107B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220FN |
| 2SD2107C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220FN |
| 2SD2108 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 2SD2109 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。