參數(shù)資料
型號： 2SD2018
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planar type darlington
中文描述： 1 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 78K
代理商： 2SD2018
2SD2018
2
SJD00239BED
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
P
C
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
0
160
40
120
80
0
6
5
4
3
2
1
(1)
(2)
(1) With a 100
×
100
×
2 mm
Al heat sink
(2) Without heat sink
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
0
12
2
10
4
8
6
2.4
2.0
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C
C
1.6
1.2
0.8
0.4
I
B
=
100
μ
A
60
μ
A
80
μ
A
70
μ
A
90
μ
A
50
μ
A
40
μ
A
30
μ
A
V
CE
=
10 V
T
C
=
25
°
C
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1
000
I
C
/ I
B
=
1
000
25
°
C
25
°
C
T
C
=
100
°
C
C
C
Collector current I
C
(A)
B
B
Collector current I
C
(A)
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1
000
I
C
/ I
B
=
1
000
T
C
=
25
°
C
25
°
C
100
°
C
0.01
0.1
1
10
10
2
10
6
10
5
10
4
10
3
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
C
=
100
°
C
Collector current I
C
(A)
F
F
1
10
100
0
24
20
16
12
4
8
I
E
=
0
f
=
1 MHz
T
C
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
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