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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2012 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Audio Frequency Power Amplifier NPN Transistor(音頻功率放大器NPN晶體管) |
| 中文描述： | 聲頻功率放大器NPN晶體管（音頻功率放大器npn型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 164K |
| 代理商： | 2SD2012 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2018 | Silicon NPN epitaxial planar type darlington |
| 2SD2029 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification) |
| 2SD2047 | Ratigns and Caracteristics of Fuji Power Transistor |
| 2SD2047R | Ratigns and Caracteristics of Fuji Power Transistor |
| 2SD2051 | Silicon NPN epitaxial planar type Darlington(For low-frequency amplification) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2012(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SD2012(F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 60V VCE 0.4 Ic 2A Audio Freq App RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2012,F(J | 制造商:Toshiba 功能描述:The same specification as 2SD2012(F) Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:0 |
| 2SD2012_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| 2SD2012_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type |
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