參數(shù)資料
型號： 2SD1970
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管)
中文描述： npn型硅外延（外延npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 34K
代理商： 2SD1970
2SD1970
4
100
300
1,000
3,000
10,000
30,000
100,000
Collector current I
C
(A)
D
F
0.01 0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
V
CE
= 2 V
Ta = 75
°
C
Pulse
–25
25
0.1
0.3
1.0
3
10
Collector current I
C
(A)
0.01 0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
C
C
(
B
B
(
Saturation Voltage vs. Collector Current
V
BE
(sat)
V
CE
(sat)
l
= 100 l
B
Ta = 25
°
C
Pulse
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Emitter to collector diode forward voltage V
ECF
(V)
D
D
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Typical Characteristics of
Emitter to Collector Diode
Ta = 25
°
C
Pulse
1
3
10
30
100
300
1,000
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0.3
1.0
3
10
30
Collector Output Capacitance
vs. Collector to Base Voltage
I
= 0
f = 1 MHz
Ta = 25
°
C
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