參數(shù)資料
型號： 2SD1816G-R-TF3-T
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： HALOGEN FREE, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： 2SD1816G-R-TF3-T
2SD1816
NPN PLANAR TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R209-011,C
CLASSIFICATION of hFE1
RANK
R
S
T
Q
RANGE
100 - 200
140 - 280
200 - 400
70 -140
TEST CIRCUIT
INPUT
OUTPUT
IB1
I B2
50V
50
-5V
100
+
470
+
VR
RB
PW=20μS
Duty Cycle≒1%
Ic=10, IB1= -10, IB2=2A
Unit (resistance:Ω, capacitance: F)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1816L-T-TF3-T 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1816L-S-TF3-T 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1816L-Q-TF3-T 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1816G-T-TF3-T 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1817TP 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1816S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1816S-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1816S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1816S-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1816T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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