參數(shù)資料
型號： 2SD1816G-R-TF3-T
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： HALOGEN FREE, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 237K
代理商： 2SD1816G-R-TF3-T
2SD1816
NPN PLANAR TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R209-011,C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta =25℃ )
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
120
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
100
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
DC
4
A
Collector Current
PULSE(Note 1)
IC
8
A
TO-251/TO-252
1
W
Collector Power Dissipation
TO-220F
PD
2
W
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-40 ~ +150
°C
Note1: Duty=1/2, Pw=20ms
Note2: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP MAX UNIT
Collector Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC =10μA, IE =0
120
V
Collector Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC =1mA, RB=∞
100
V
Emitter Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE =10μA, IC=0
6
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC = 2A, IB =0.2A
0.9
1.2
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC = 2A, IB=0.2A
150
400
mV
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB = 100 V, IE =0
1
μA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB = 4V, IC=0
1
μA
hFE1
VCE = 5V, IC = 0.5A
70
400
DC Current Transfer Ratio
hFE2
VCE =5V, IC = 3A
40
Transition Frequency
fT
VCE =10V, IC =0.5A
180
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB =10V, IE =0A, f =1MHz
40
pF
Turn-on Time
tON
See test circuit
100
ns
Storage Time
tSTG
See test circuit
900
ns
Fall Time
tF
See test circuit
50
ns
相關PDF資料
PDF描述
2SD1816L-T-TF3-T 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1816L-S-TF3-T 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1816L-Q-TF3-T 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1816G-T-TF3-T 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1817TP 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1816S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1816S-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1816S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1816S-TL-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1816T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*