參數(shù)資料
型號： 2SD1772
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type
中文描述： 1 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2SD1772
2
Power Transistors
2SD1772, 2SD1772A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
40
30
10
25
35
20
5
15
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
24
20
16
4
12
8
0
1.6
1.2
0.4
1.0
1.4
0.8
0.2
0.6
I
B
=20mA
T
C
=25C
10mA
8mA
6mA
4mA
2mA
1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
1.6
0.4
1.2
0.8
0
4
3
1
2
T
C
=100C
25C
–25C
V
CE
=10V
C
C
0.01
3
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
3
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
CE
=10V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
1ms
10ms
DC
t=0.5ms
2
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
2
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
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PDF描述
2SD1772A Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1773 Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For midium speed switching)
2SD1775 Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-speed switching and high current amplification ratio)
2SD1775A Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-speed switching and high current amplification ratio)
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2SD1774A 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR
2SD1776A 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO220FA100V 2A 2W BCE
2SD1776-P0 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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