參數(shù)資料
型號： 2SD1760R
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至252
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： 2SD1760R
2SD1760 / 2SD1864
Transistors
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
f
T
Cob
Min.
60
50
5
-
-
82
390
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
90
40
-
-
-
1
1
1
-
-
V
I
C
= 50
μ
A
I
C
= 1mA
I
E
= 50
μ
A
V
CB
= 40V
V
EB
= 4V
V
CE
= 3V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
E
=
500mA, f = 30MHz
I
C
/I
B
= 2A/0.2A
*
*
*
V
CB
= 10V, I
E
= 0A, f = 1MHz
V
V
μ
A
μ
A
-
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
*
Measured using pulse current.
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Output capacitance
Transition frequency
!
Packaging specifications and h
FE
Package
Taping
Code
2SD1760
Type
TL
2500
h
FE
TV2
2500
-
-
2SD1864
PQR
PQR
Basic ordering
unit (pieces)
h
FE
values are classified as follows:
Item
h
FE
R
180~390
Q
120~270
P
82~180
!
Electrical characteristic curves
C
C
(
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
0
10
0.01
2
5
1
0.2
0.5
0.1
0.02
0.05
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
V
CE
=
3V
°
C
25
°
C
Ta = 100
°
C
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics (
Ι
)
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
15mA
20mA
325mA
435mA
50mA
10mA
5mA
I
B
= 0mA
45mA
Ta = 25
°
C
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.3 Grounded-emitter output
characteristics(
ΙΙ
)
0
10
20
30
40
50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Ta = 25
°
C
50mA
15mA
10mA
P
C
= 15W
I
B
= 5mA
20mA
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.4 DC current gain vs.
collector current(
Ι
)
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
2
5
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta = 25
°
C
10
V
CE
= 5V
3V
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.5 DC current gain vs.
collector curren(
ΙΙ
)
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
V
CE
= 3V
Ta = 100
°
C
-25
°
C
25
°
C
C
C
(
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Fig.6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
0.010.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Ta = 25
°
C
I
C
/I
B
= 50
20
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1864R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
2SD1762 Power Transistor (50V, 3A)
2SD1766 Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
2SD1227M Medium Power Transistor 32V, 2A
2SD1758 Medium Power Transistor 32V, 2A
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1760TL/Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1760TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1760TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1760TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1762 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*