參數資料
型號： 2SD1759TL
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CPT3, SC-63, 3 PIN
文件頁數： 2/3頁
文件大小： 72K
代理商： 2SD1759TL
2SD1759 / 2SD1861
Transistors
Rev.A
2/2
Electrical characteristics curves
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.1 Ground emitter output characteristics
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
5
4
3
2
1
0
Ta
=25°C
IB
= 0A
10
A
20
A
30
A
40
A
50
A
60
A
70
A
80
A
100
A
90
A
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
Fig.2 Ground emitter propagation characteristics
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
2000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
0
Ta
=25
°C
VCE
= 3V
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
Fig.3 DC current gain vs. collector current
2000
5000
10000
20000
50000
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
5000
2000
Ta
=25
°C
VCE
=3V
1V
COLLECTOR CURRENT : IC
(mA)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000 2000
Ta
=25
°C
IC/IB
=1000
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:Cob
(pF)
Fig.5 Colletor output capacitance
vs. collector-base voltage
20
50
10
1
2
5
1
2
5
10 20
50 100
0.1 0.2
0.5
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IC
=0A
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB
(V)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:Cib
(pF)
Fig.6 Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
20
50
10
1
2
5
1
2
5
10 20
50 100
0.1 0.2
0.5
Ta
=25
°C
f
=1MHz
IC
=0A
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