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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1751 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) |
| 中文描述： | 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SD1751 |
2
Power Transistors
2SD1751
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
20
15
5
10
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
C
=1.3W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
5
4
3
2
1
T
C
=25C
I
B
=100mA
80mA
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
5mA
1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
3.0
2.5
2.0
0.5
1.5
1.0
0
6
5
4
3
2
1
V
CE
=4V
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=4V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
=10V
f=1MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
t=10ms
1ms
300ms
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–1
1
10
10
2
10
3
(1) Without heat sink
(2) With a 50
×
50
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1752 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SD1752A | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 2SD1771 | Silicon NPN triple diffusion planar type |
| 2SD1771A | Silicon NPN triple diffusion planar type |
| 2SD1772 | Silicon NPN triple diffusion planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1755 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1757 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1757K | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1757KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1757KT146Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 15V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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