參數(shù)資料
型號： 2SD1725T
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-126LP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SD1725T
2SB1168/2SD1725
No.2048–4/5
A S O
1.0
0.1
0.01
10
5
3
2
5
3
5
3
2
1.0
10
2
25
3
100
22
5
3
5
ITR09142
5
7
3
2
5
3
--1.0
--10
5
--0.01
23
5
23
5
23
5
--0.1
--1.0
--10
ITR09140
VBE(sat) -- IC
5
7
3
2
5
3
1.0
10
5
0.01
23
5
23
5
23
5
0.1
1.0
10
2SB1168
IC / IB=10
25
°C
75°C
Ta= --25°C
25
°C
75
°C
Ta= --25°C
ITR09141
VBE(sat) -- IC
2SD1725
IC / IB=10
100ms10ms
1ms
DC
operation
Tc=25
°C
DC
operation
Ta=25
°C
2SB1168 / 2SD1725
Tc=25
°C
Single pulse
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
(For PNP, minus sign is omitted).
0
1.4
1.0
1.2
0.8
0.4
0.6
0.2
0
20
40
60
100
120
160
140
80
PC -- Ta
ITR09094
2SB1168 / 2SD1725
0
24
16
20
12
8
4
0
20
40
60
100
120
160
140
80
PC -- Tc
ITR09095
2SB1168 / 2SD1725
Collector
Dissipation,
P
C
–W
Ambient Temperature, Ta – C
Collector
Dissipation,
P
C
–W
Case Temperature, Tc – C
No
heat
sink
IC=4A
ICP=8A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1169AO 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1169R 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1169AQ 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1169AP 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1169O 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SD1733TL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1733TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1733TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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