參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1725T
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-126LP, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大小: 53K
代理商: 2SD1725T
2SB1168/2SD1725
No.2048–3/5
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--3
--2
--5
--4
--1
0
IC -- VBE
ITR09132
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
3
2
5
4
1
0
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1168
VCE= --5V
IC -- VBE
ITR09133
23
0.1
23
5
23
5
7
1.0
f T -- IC
100
10
2
5
7
5
3
2
3
ITR09136
2SB1168
2SD1725
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
7
5
100
10
2
27
35
7
5
100
22
7
35
ITR09137
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
100
10
23
5
--0.01
5
--0.1
23
5
23
--1.0
--10
ITR09134
2SB1168
VCE= --5V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
hFE -- IC
ITR09135
2
5
3
2
5
3
2
5
3
--1000
--10
--100
23
55
--0.01
23
5
3
5
--0.1
2
--1.0
--10
ITR09138
VCE(sat) -- IC
2
5
3
2
5
3
2
5
3
1000
10
100
7
23
55
0.01
23
5
3
5
0.1
2
1.0
10
2SB1168
IC / IB=10
25°
C
Ta=75
°C
--25
°C
ITR09139
VCE(sat) -- IC
25°
C
Ta=75°C
--25
°C
2SD1725
IC / IB=10
2SB1168 / 2SD1725
VCE=10V
2SB1168
2SD1725
2SB1168 / 2SD1725
f=1MHz
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SD1725
VCE=5V
2
3
5
7
1000
2
3
5
100
10
23
5
0.01
5
0.1
23
5
23
1.0
10
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SD1725
VCE=5V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC –A
Output
Capacitance,
Cob
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
(For PNP, minus sign is omitted.)
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
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PDF描述
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2SD1733TL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SD1733TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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