參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1701K
廠商： NEC Corp.
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis
中文描述： 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 70V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 117K
代理商： 2SD1701K
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1701L TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 70V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
2SD1701 NPN SILICON TRANSISTOR
2SD1702 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
2SD1710 Silicon Diffused Power Transistor
2SD1711 NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1702-T1-AZ(TF) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SD1705 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD17050P 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 10A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD17070P 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 20A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1717 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS. TRANS. TOP-3L 160V 12A 120W BCE
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